QORVO - uSiC

Les FET en carbure de silicium (SiC) haute performance de Qorvo offrent la meilleure vitesse de commutation de leur catégorie, des pertes de commutation plus faibles, un rendement plus élevé, des boîtiers standard à trous traversants (y compris Kelvin) et des boîtiers pour montage en surface, avec un excellent rapport coût-efficacité. Ces FET sont basés sur une configuration cascode unique où un JFET rapide SiC haute performance est co-packagé avec un Si-MOSFET optimisé pour le cascode, permettant le fonctionnement d'un dispositif SiC à commande de grille standard.